Транзистори з каналом N SMD P30B10EL-5071

 
P30B10EL-5071
 
Артикул: 449581
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 100В; 30А; Idm: 90А; 44Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
46.60 грн
25+
41.67 грн
31+
33.34 грн
84+
31.75 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 545 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
44Вт(1596017)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
37нКл(1479234)
Технологія
EETMOS2(1829962)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
90А(1797079)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,366 g
 
Транзистори з каналом N SMD P30B10EL-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449581
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 100В; 30А; Idm: 90А; 44Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
46.60 грн
25+
41.67 грн
31+
33.34 грн
84+
31.75 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 545 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
44Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
37нКл
Технологія
EETMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
90А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,366 g