0 0 0
  8. P32F12SN-5600

Транзисторы с каналом N THT P32F12SN-5600

 
P32F12SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449686
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.00 грн
5+
76.34 грн
17+
61.39 грн
45+
58.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 168 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
120В(1520458)
Струм стока
32А(1441566)
Опір в стані провідності
15,5мОм(1479180)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
44Вт(1596017)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
92нКл(1479457)
Технологія
EETMOS3(1829963)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
128А(1823202)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,55 g
 
Транзисторы с каналом N THT P32F12SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449686
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.00 грн
5+
76.34 грн
17+
61.39 грн
45+
58.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 168 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
120В
Струм стока
32А
Опір в стані провідності
15,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
44Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
92нКл
Технологія
EETMOS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
128А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,55 g