0 0 0
  8. P3F60HP2-5600

Транзистори з каналом N THT P3F60HP2-5600

 
P3F60HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449689
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
48.33 грн
25+
43.38 грн
28+
36.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 86 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
2,3Ом(1441601)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
52,5Вт(1741838)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,548 g
 
Транзистори з каналом N THT P3F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449689
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
48.33 грн
25+
43.38 грн
28+
36.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 86 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
2,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
52,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
10нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,548 g