0 0 0
  8. P4F60HP2-5600

Транзистори з каналом N THT P4F60HP2-5600

 
P4F60HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449693
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
52.16 грн
25+
46.81 грн
27+
36.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 498 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
12,5нКл(1609817)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,548 g
 
Транзистори з каналом N THT P4F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449693
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
52.16 грн
25+
46.81 грн
27+
36.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 498 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
12,5нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,548 g