0 0 0
  8. P5F50HP2-5600

Транзистори з каналом N THT P5F50HP2-5600

 
P5F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449697
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
46.40 грн
25+
41.63 грн
28+
35.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 100 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
52,5Вт(1741838)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
10,5нКл(1609889)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,557 g
 
Транзистори з каналом N THT P5F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449697
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
46.40 грн
25+
41.63 грн
28+
35.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 100 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
52,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
10,5нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,557 g