0 0 0
  8. P66F7R5SN-5600

Транзистори з каналом N THT P66F7R5SN-5600

 
P66F7R5SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449700
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.09 грн
5+
91.72 грн
14+
73.37 грн
38+
69.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 60 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
66А(1599492)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
51Вт(1741968)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
115нКл(1607626)
Технологія
EETMOS3(1829963)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
264А(1812416)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g
 
Транзистори з каналом N THT P66F7R5SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449700
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.09 грн
5+
91.72 грн
14+
73.37 грн
38+
69.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 60 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
66А
Опір в стані провідності
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
51Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
115нКл
Технологія
EETMOS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
264А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g