Транзистори з каналом N THT P7F60HP2-5600

 
P7F60HP2-5600
 
Артикул: 449705
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.68 грн
5+
61.39 грн
19+
52.73 грн
52+
49.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 494 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
(1441285)
Опір в стані провідності
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
79Вт(1740747)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,558 g
 
Транзистори з каналом N THT P7F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449705
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.68 грн
5+
61.39 грн
19+
52.73 грн
52+
49.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 494 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
Опір в стані провідності
1,05Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
79Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
19нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,558 g