0 0 0
  8. P82F7R5SN-5600

Транзистори з каналом N THT P82F7R5SN-5600

 
P82F7R5SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449707
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
148.27 грн
5+
134.00 грн
10+
105.46 грн
26+
99.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 57 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
82А(1479450)
Опір в стані провідності
3,8мОм(1479538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
58Вт(1716674)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
168нКл(1633538)
Технологія
EETMOS3(1829963)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
328А(1829680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g
 
Транзистори з каналом N THT P82F7R5SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449707
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
148.27 грн
5+
134.00 грн
10+
105.46 грн
26+
99.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 57 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
82А
Опір в стані провідності
3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
58Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
168нКл
Технологія
EETMOS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
328А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g