0 0 0
  8. S2M0016120D

Транзистори з каналом N THT S2M0016120D

 
S2M0016120D
 
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 834180
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 242.30 грн
2+
2 120.39 грн
5+
2 119.59 грн
300+
2 028.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SMC DIODE SOLUTIONS(1827)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AD(1440118)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
140А(1479533)
Опір в стані провідності
16мОм(1479178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
714Вт(1741826)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
224нКл(1743004)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
314А(1936861)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,21 g
 
Транзистори з каналом N THT S2M0016120D
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 834180
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 242.30 грн
2+
2 120.39 грн
5+
2 119.59 грн
300+
2 028.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SMC DIODE SOLUTIONS
Монтаж
THT
Корпус
TO247AD
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
140А
Опір в стані провідності
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
714Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
224нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
314А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,21 g