0 0 0
  8. S2M0040120K-1

Транзистори з каналом N THT S2M0040120K-1

 
S2M0040120K-1
 
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 840580
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 55А; Idm: 160А; 320,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 024.73 грн
3+
968.96 грн
300+
931.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 50 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SMC DIODE SOLUTIONS(1827)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
55А(1441569)
Опір в стані провідності
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
320,5Вт(1973074)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
118нКл(1693690)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,59 g
 
Транзистори з каналом N THT S2M0040120K-1
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 840580
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 55А; Idm: 160А; 320,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 024.73 грн
3+
968.96 грн
300+
931.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 50 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SMC DIODE SOLUTIONS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
55А
Опір в стані провідності
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
320,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
118нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,59 g