0 0 0
  8. DG10X12T2

Транзистори IGBT THT DG10X12T2

 
DG10X12T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746643
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
178.65 грн
3+
160.31 грн
8+
123.62 грн
22+
116.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 56 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
10А(1440949)
Струм колектора в імпульсі
30А(1441708)
Час ввімкнення
37нс(1607623)
Час вимкнення
493нс(1757673)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g
 
Транзистори IGBT THT DG10X12T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746643
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
178.65 грн
3+
160.31 грн
8+
123.62 грн
22+
116.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 56 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
10А
Струм колектора в імпульсі
30А
Час ввімкнення
37нс
Час вимкнення
493нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
96Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
80нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g