0 0 0
  8. DG20X06T1

Транзистори IGBT THT DG20X06T1

 
DG20X06T1
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746641
Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 313Вт; TO220
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
136.26 грн
5+
121.92 грн
11+
95.62 грн
29+
90.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 52 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220(1437014)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
29А(1613975)
Струм колектора в імпульсі
60А(1645252)
Час ввімкнення
26нс(1621606)
Час вимкнення
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
313Вт(1741812)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,14мкКл(1950534)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,013 g
 
Транзистори IGBT THT DG20X06T1
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746641
Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 313Вт; TO220
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
136.26 грн
5+
121.92 грн
11+
95.62 грн
29+
90.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 52 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO220
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
29А
Струм колектора в імпульсі
60А
Час ввімкнення
26нс
Час вимкнення
200нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
313Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,14мкКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,013 g