0 0 0
  8. DG25X12T2

Транзистори IGBT THT DG25X12T2

 
DG25X12T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746639
Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 348Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
302.80 грн
3+
271.72 грн
5+
213.55 грн
13+
201.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
25А(1440980)
Струм колектора в імпульсі
75А(1694309)
Час ввімкнення
36нс(1441737)
Час вимкнення
362нс(1706646)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
348Вт(1950535)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,19мкКл(1950536)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g
 
Транзистори IGBT THT DG25X12T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746639
Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 348Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
302.80 грн
3+
271.72 грн
5+
213.55 грн
13+
201.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
25А
Струм колектора в імпульсі
75А
Час ввімкнення
36нс
Час вимкнення
362нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
348Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,19мкКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g