0 0 0
  8. DG30X07T2

Транзистори IGBT THT DG30X07T2

 
DG30X07T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746642
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 208Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.21 грн
3+
179.29 грн
8+
139.45 грн
20+
132.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
90А(1705293)
Час ввімкнення
0,1мкс(1519240)
Час вимкнення
306нс(1757703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
208Вт(1741773)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,22мкКл(1950537)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,12 g
 
Транзистори IGBT THT DG30X07T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746642
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 208Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.21 грн
3+
179.29 грн
8+
139.45 грн
20+
132.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
90А
Час ввімкнення
0,1мкс
Час вимкнення
306нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
208Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,22мкКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,12 g