0 0 0
  8. DG50X07T2

Транзистори IGBT THT DG50X07T2

 
DG50X07T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746640
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
290.85 грн
3+
261.36 грн
5+
203.99 грн
14+
192.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 7 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Час ввімкнення
36нс(1441737)
Час вимкнення
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
714Вт(1741826)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,35мкКл(1950543)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,93 g
 
Транзистори IGBT THT DG50X07T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746640
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
290.85 грн
3+
261.36 грн
5+
203.99 грн
14+
192.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 7 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
150А
Час ввімкнення
36нс
Час вимкнення
200нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
714Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,35мкКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,93 g