0 0 0
  8. DG75X07T2L

Транзистори IGBT THT DG75X07T2L

 
DG75X07T2L
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746635
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 428Вт; TO247PLUS
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
512.02 грн
3+
354.11 грн
8+
334.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 21 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247PLUS(1950558)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
75А(1441616)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Час ввімкнення
264нс(1950554)
Час вимкнення
369нс(1950555)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
428Вт(1741827)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,52мкКл(1950544)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,173 g
 
Транзистори IGBT THT DG75X07T2L
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746635
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 428Вт; TO247PLUS
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
512.02 грн
3+
354.11 грн
8+
334.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 21 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247PLUS
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
75А
Струм колектора в імпульсі
300А
Час ввімкнення
264нс
Час вимкнення
369нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
428Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,52мкКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,173 g