0 0 0
  7. GD100SGY120D6S

Модулі IGBT GD100SGY120D6S

 
GD100SGY120D6S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732074
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; одиночний транзистор; D6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 482.63 грн
2+
1 402.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
D6(1593199)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топологія
одиночний транзистор(1612521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g
 
Модулі IGBT GD100SGY120D6S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732074
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; одиночний транзистор; D6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 482.63 грн
2+
1 402.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
D6
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
200А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Advanced Trench FS IGBT
Топологія
одиночний транзистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g