0 0 0
  7. GD10PJX65L2S

Модулі IGBT GD10PJX65L2S

 
GD10PJX65L2S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732067
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 657.45 грн
2+
1 567.76 грн
24+
1 506.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L2.5(1950598)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
10А(1440949)
Струм колектора в імпульсі
20А(1645259)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench FS IGBT(1950591)
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513) 3-фазни діодний міст(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g
 
Модулі IGBT GD10PJX65L2S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732067
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 657.45 грн
2+
1 567.76 грн
24+
1 506.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L2.5
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
10А
Струм колектора в імпульсі
20А
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench FS IGBT
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-фазни діодний міст
Топологія
IGBT three-phase bridge OE output
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g