0 0 0
  7. GD15PJY120F4S

Модулі IGBT GD15PJY120F4S

 
GD15PJY120F4S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732013
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 460.80 грн
2+
2 326.32 грн
25+
2 236.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
F4.1(1950599)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
15А(1440962)
Струм колектора в імпульсі
30А(1441708)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513) 3-фазни діодний міст(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 28 g
 
Модулі IGBT GD15PJY120F4S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732013
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 460.80 грн
2+
2 326.32 грн
25+
2 236.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
F4.1
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
15А
Струм колектора в імпульсі
30А
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Advanced Trench FS IGBT
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-фазни діодний міст
Топологія
IGBT three-phase bridge OE output
Додаткова інформація: Маса брутто: 28 g