0 0 0
  7. GD200HFU120C2S

Модулі IGBT GD200HFU120C2S

 
GD200HFU120C2S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732061
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1200В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 198.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
C2 62mm(1750437)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
200А(1441734)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Ultra Fast NPT-IGBT®(1694426)
Топологія
півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g
 
Модулі IGBT GD200HFU120C2S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732061
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1200В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 198.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
C2 62mm
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
200А
Струм колектора в імпульсі
400А
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Ultra Fast NPT-IGBT®
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g