0 0 0
  7. GD30PJX65L2S

Модулі IGBT GD30PJX65L2S

 
GD30PJX65L2S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731986
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 155.15 грн
2+
2 038.07 грн
24+
1 959.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L2.2(1950600)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
60А(1645252)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench FS IGBT(1950591)
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513) 3-фазни діодний міст(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g
 
Модулі IGBT GD30PJX65L2S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731986
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 155.15 грн
2+
2 038.07 грн
24+
1 959.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L2.2
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
60А
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench FS IGBT
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-фазни діодний міст
Топологія
IGBT three-phase bridge OE output
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g