0 0 0
  7. GD35PJY120L3S

Модулі IGBT GD35PJY120L3S

 
GD35PJY120L3S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732075
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 887.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 16 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L3.0(1950606)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
35А(1500592)
Струм колектора в імпульсі
70А(1733708)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513) 3-фазни діодний міст(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 43,57 g
 
Модулі IGBT GD35PJY120L3S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732075
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 887.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 16 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L3.0
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
35А
Струм колектора в імпульсі
70А
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Advanced Trench FS IGBT
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-фазни діодний міст
Топологія
IGBT three-phase bridge OE output
Додаткова інформація: Маса брутто: 43,57 g