0 0 0
  7. GD50FSX65L2S

Модулі IGBT GD50FSX65L2S

 
GD50FSX65L2S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732071
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 425.33 грн
2+
2 292.94 грн
24+
2 218.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L2.1(1950608)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
100А(1441718)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench FS IGBT(1950591)
Топологія
термістор NTC(1612513) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g
 
Модулі IGBT GD50FSX65L2S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732071
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 425.33 грн
2+
2 292.94 грн
24+
2 218.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L2.1
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
100А
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench FS IGBT
Топологія
термістор NTC
Топологія
IGBT three-phase bridge OE output
Додаткова інформація: Маса брутто: 24 g