0 0 0
  7. GD50HFX65C1S

Модулі IGBT GD50HFX65C1S

 
GD50HFX65C1S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731989
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 550.46 грн
2+
2 411.26 грн
24+
2 318.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
C1 34mm(1750435)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
100А(1441718)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench FS IGBT(1950591)
Топологія
півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 150 g
 
Модулі IGBT GD50HFX65C1S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731989
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 550.46 грн
2+
2 411.26 грн
24+
2 318.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
C1 34mm
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
100А
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench FS IGBT
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 150 g