0 0 0
  8. IRF630

Транзисторы с каналом N THT IRF630

 
IRF630
 
STMicroelectronics
Артикул: 078683
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
110.18 грн
10+
96.88 грн
25+
40.61 грн
68+
38.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 869 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
5,7А(1441269)
Опір в стані провідності
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MESH OVERLAY™ II(1827825)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRF630
STMicroelectronics
Артикул: 078683
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
110.18 грн
10+
96.88 грн
25+
40.61 грн
68+
38.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 869 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
5,7А
Опір в стані провідності
0,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MESH OVERLAY™ II
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g