Транзистори з каналом N THT SCT20N120

 
SCT20N120
 
Артикул: 079899
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 45А; 175Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 153.90 грн
3+
1 087.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HIP247™(1638650)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
175Вт(1702078)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
SiC(1591568) SiCFET(1701219)
Напруга затвор-джерело
-10...25В(1981126)
Струм стоку в імпульсі
45А(1742464)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,39 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT20N120
STMicroelectronics
Артикул: 079899
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 45А; 175Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 153.90 грн
3+
1 087.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
HIP247™
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
175Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45нКл
Технологія
SiC
Технологія
SiCFET
Напруга затвор-джерело
-10...25В
Струм стоку в імпульсі
45А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,39 g