0 0 0
  8. SCT30N120

Транзистори з каналом N THT SCT30N120

 
SCT30N120
 
STMicroelectronics
Артикул: 079904
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 727.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HIP247™(1638650)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
34А(1441554)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
270Вт(1740763)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
105нКл(1633312)
Технологія
SiC(1591568) SiCFET(1701219)
Напруга затвор-джерело
-10...25В(1981126)
Струм стоку в імпульсі
90А(1797079)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,437 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT30N120
STMicroelectronics
Артикул: 079904
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 727.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
HIP247™
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
34А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
270Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
105нКл
Технологія
SiC
Технологія
SiCFET
Напруга затвор-джерело
-10...25В
Струм стоку в імпульсі
90А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,437 g