0 0 0
  8. STB100N10F7

Транзистори з каналом N SMD STB100N10F7

 
STB100N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 778655
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.67 грн
8+
129.38 грн
22+
122.20 грн
200+
119.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
70А(1441315)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
61нКл(1479027)
Технологія
STripFET™ F7(1786522)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
320А(1741662)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB100N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 778655
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.67 грн
8+
129.38 грн
22+
122.20 грн
200+
119.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
70А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
61нКл
Технологія
STripFET™ F7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
320А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g