0 0 0
  8. STB13N60M2

Транзистори з каналом N SMD STB13N60M2

 
STB13N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 077456
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 110Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
135.10 грн
5+
119.21 грн
10+
106.49 грн
26+
100.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,561 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB13N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 077456
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 110Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
135.10 грн
5+
119.21 грн
10+
106.49 грн
26+
100.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,561 g