0 0 0
  8. STB140NF75T4

Транзисторы с каналом N SMD STB140NF75T4

 
STB140NF75T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077460
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.70 грн
5+
148.75 грн
9+
121.99 грн
23+
114.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 86 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
6,5мОм(1441608)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,628 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB140NF75T4
STMicroelectronics
Артикул: 077460
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.70 грн
5+
148.75 грн
9+
121.99 грн
23+
114.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 86 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
6,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,628 g