0 0 0
  8. STB14NK60ZT4

Транзисторы с каналом N SMD STB14NK60ZT4

 
STB14NK60ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077461
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,5А; 160Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
133.01 грн
5+
119.63 грн
10+
105.46 грн
26+
99.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
8,5А(1479174)
Опір в стані провідності
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
160Вт(1701927)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,65 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB14NK60ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077461
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,5А; 160Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
133.01 грн
5+
119.63 грн
10+
105.46 грн
26+
99.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
8,5А
Опір в стані провідності
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
160Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,65 g