0 0 0
  8. STB18NF25

Транзистори з каналом N SMD STB18NF25

 
STB18NF25
 
STMicroelectronics
Артикул: 778739
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
124.77 грн
5+
112.05 грн
12+
87.42 грн
32+
82.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
250В(1441306)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
0,165Ом(1743044)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
29,3нКл(1478969)
Технологія
STripFET™ II(1714015)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
68А(1785979)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB18NF25
STMicroelectronics
Артикул: 778739
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
124.77 грн
5+
112.05 грн
12+
87.42 грн
32+
82.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
250В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
0,165Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
29,3нКл
Технологія
STripFET™ II
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
68А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g