0 0 0
  8. STB24N60DM2

Транзисторы с каналом N SMD STB24N60DM2

 
STB24N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 077469
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 150Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
316.38 грн
5+
229.81 грн
12+
217.22 грн
100+
209.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,769 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB24N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 077469
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 150Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
316.38 грн
5+
229.81 грн
12+
217.22 грн
100+
209.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,769 g