0 0 0
  8. STB55NF06T4

Транзистори з каналом N SMD STB55NF06T4

 
STB55NF06T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077479
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 35А; 110Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.76 грн
5+
63.98 грн
22+
47.94 грн
58+
45.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,604 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB55NF06T4
STMicroelectronics
Артикул: 077479
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 35А; 110Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.76 грн
5+
63.98 грн
22+
47.94 грн
58+
45.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,604 g