0 0 0
  8. STB7NK80ZT4

Транзистори з каналом N SMD STB7NK80ZT4

 
STB7NK80ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077487
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
110.86 грн
5+
99.69 грн
14+
74.97 грн
36+
70.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 580 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,3А(1492298)
Опір в стані провідності
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,681 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB7NK80ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077487
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
110.86 грн
5+
99.69 грн
14+
74.97 грн
36+
70.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 580 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,3А
Опір в стані провідності
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,681 g