0 0 0
  8. STB80NF10T4

Транзистори з каналом N SMD STB80NF10T4

 
STB80NF10T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077489
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
176.41 грн
5+
160.51 грн
9+
124.76 грн
23+
118.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB80NF10T4
STMicroelectronics
Артикул: 077489
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
176.41 грн
5+
160.51 грн
9+
124.76 грн
23+
118.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g