0 0 0
  8. STB80NF55L-06T4

Транзистори з каналом N SMD STB80NF55L-06T4

 
STB80NF55L-06T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077490
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 300Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
149.64 грн
5+
134.60 грн
10+
106.10 грн
27+
100.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 570 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,651 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB80NF55L-06T4
STMicroelectronics
Артикул: 077490
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 300Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
149.64 грн
5+
134.60 грн
10+
106.10 грн
27+
100.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 570 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,651 g