0 0 0
  8. STB9NK60ZT4

Транзистори з каналом N SMD STB9NK60ZT4

 
STB9NK60ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077494
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 125Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.79 грн
5+
59.97 грн
20+
50.80 грн
53+
48.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4,4А(1441573)
Опір в стані провідності
0,95Ом(1492414)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,715 g
 
Транзистори з каналом N SMD STB9NK60ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077494
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 125Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.79 грн
5+
59.97 грн
20+
50.80 грн
53+
48.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4,4А
Опір в стані провідності
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,715 g