0 0 0
  8. STD18N65M5

Транзистори з каналом N SMD STD18N65M5

 
STD18N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 077512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 9,4А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
227.28 грн
3+
215.36 грн
6+
176.42 грн
16+
166.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2169 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
9,4А(1479194)
Опір в стані провідності
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,523 g
 
Транзистори з каналом N SMD STD18N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 077512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 9,4А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
227.28 грн
3+
215.36 грн
6+
176.42 грн
16+
166.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2169 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
9,4А
Опір в стані провідності
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,523 g