0 0 0
  8. STD1HN60K3

Транзистори з каналом N SMD STD1HN60K3

 
STD1HN60K3
 
STMicroelectronics
Артикул: 077513
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,76А; 27Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.54 грн
5+
28.45 грн
25+
22.57 грн
51+
20.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
0,76А(1638658)
Опір в стані провідності
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
27Вт(1626689)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,397 g
 
Транзистори з каналом N SMD STD1HN60K3
STMicroelectronics
Артикул: 077513
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,76А; 27Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.54 грн
5+
28.45 грн
25+
22.57 грн
51+
20.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
0,76А
Опір в стані провідності
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
27Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,397 g