0 0 0
  8. STD2NK100Z

Транзистори з каналом N SMD STD2NK100Z

 
STD2NK100Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 077528
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.69 грн
5+
40.47 грн
25+
35.74 грн
30+
33.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
1,16А(1638664)
Опір в стані провідності
8,5Ом(1638660)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
70Вт(1702087)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,35 g
 
Транзистори з каналом N SMD STD2NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 077528
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.69 грн
5+
40.47 грн
25+
35.74 грн
30+
33.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
1,16А
Опір в стані провідності
8,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
70Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,35 g