0 0 0
  8. STD2NK90ZT4

Транзистори з каналом N SMD STD2NK90ZT4

 
STD2NK90ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077529
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,3А; 70Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.06 грн
5+
50.89 грн
25+
40.59 грн
26+
38.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 114 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
1,3А(1492332)
Опір в стані провідності
6,5Ом(1622290)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
70Вт(1702087)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,435 g
 
Транзистори з каналом N SMD STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077529
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,3А; 70Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.06 грн
5+
50.89 грн
25+
40.59 грн
26+
38.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 114 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
1,3А
Опір в стані провідності
6,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
70Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,435 g