0 0 0
  8. STD5NM60-1

Транзистори з каналом N THT STD5NM60-1

 
STD5NM60-1
 
STMicroelectronics
Артикул: 436895
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
84.22 грн
3+
77.07 грн
10+
68.33 грн
16+
63.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
3,1А(1441251)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
MDmesh™(1611363)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,41 g
 
Транзистори з каналом N THT STD5NM60-1
STMicroelectronics
Артикул: 436895
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
84.22 грн
3+
77.07 грн
10+
68.33 грн
16+
63.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
3,1А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
18нКл
Технологія
MDmesh™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,41 g