0 0 0
  8. STF24N60DM2

Транзистори з каналом N THT STF24N60DM2

 
STF24N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 079979
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; польовий; 600В; 11А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
205.59 грн
3+
185.75 грн
8+
142.88 грн
20+
134.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 46 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
FDmesh™ II Plus(1827835)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,693 g
 
Транзистори з каналом N THT STF24N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 079979
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; польовий; 600В; 11А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
205.59 грн
3+
185.75 грн
8+
142.88 грн
20+
134.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 46 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
FDmesh™ II Plus
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,693 g