0 0 0
  7. STGAP2SICSNTR

Драйвери MOSFET/IGBT STGAP2SICSNTR

 
STGAP2SICSNTR
 
STMicroelectronics
Артикул: 952975
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
152.24 грн
5+
145.10 грн
10+
99.11 грн
28+
93.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
3,1...5,5В(1924827)
Вихідна напруга
1,7кВ(1548170)
Вихідний струм
-4...4А(1711654)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
30нс(1443716)
Час спадання імпульсу
30нс(1638386)
Кількість каналів
1(1443898)
Напруга ізоляції
4,8кВ(2023673)
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення(1706586)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів SiC MOSFET(1890667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT STGAP2SICSNTR
STMicroelectronics
Артикул: 952975
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
152.24 грн
5+
145.10 грн
10+
99.11 грн
28+
93.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
3,1...5,5В
Вихідна напруга
1,7кВ
Вихідний струм
-4...4А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
30нс
Час спадання імпульсу
30нс
Кількість каналів
1
Напруга ізоляції
4,8кВ
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів SiC MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g