0 0 0
  8. STGB30H60DFB

Транзистори IGBT SMD STGB30H60DFB

 
STGB30H60DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 947217
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
218.30 грн
5+
196.86 грн
7+
150.03 грн
19+
142.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
260Вт(1701961)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
149нКл(1745937)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори IGBT SMD STGB30H60DFB
STMicroelectronics
Артикул: 947217
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
218.30 грн
5+
196.86 грн
7+
150.03 грн
19+
142.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
120А
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
260Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
149нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g