0 0 0
  8. STGB30M65DF2

Транзистори IGBT SMD STGB30M65DF2

 
STGB30M65DF2
 
STMicroelectronics
Артикул: 947184
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 258Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
209.75 грн
5+
189.10 грн
7+
143.01 грн
19+
135.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
258Вт(1742133)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори IGBT SMD STGB30M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947184
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 258Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
209.75 грн
5+
189.10 грн
7+
143.01 грн
19+
135.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
120А
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
258Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
80нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g