0 0 0
  7. STGSH80HB65DAG

Модулі IGBT STGSH80HB65DAG

 
STGSH80HB65DAG
 
STMicroelectronics
Артикул: 951236
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 675.64 грн
2+
1 584.72 грн
5+
1 583.92 грн
600+
1 539.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Корпус
ACEPACK SMIT(1995498)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
68А(1750818)
Струм колектора в імпульсі
269А(1995497)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Електричний монтаж
SMT(1443394)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Модулі IGBT STGSH80HB65DAG
STMicroelectronics
Артикул: 951236
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 675.64 грн
2+
1 584.72 грн
5+
1 583.92 грн
600+
1 539.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Корпус
ACEPACK SMIT
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
68А
Струм колектора в імпульсі
269А
Потужність розсіювання
250Вт
Електричний монтаж
SMT
Тип модуля
IGBT
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g