0 0 0
  8. STGWA75H65DFB2

Транзистори IGBT THT STGWA75H65DFB2

 
STGWA75H65DFB2
 
STMicroelectronics
Артикул: 842327
Транзистор: IGBT; 650В; 71А; 357Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
429.45 грн
3+
386.58 грн
4+
296.88 грн
10+
280.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
71А(1968266)
Струм колектора в імпульсі
225А(1694415)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
207нКл(1968267)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,128 g
 
Транзистори IGBT THT STGWA75H65DFB2
STMicroelectronics
Артикул: 842327
Транзистор: IGBT; 650В; 71А; 357Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
429.45 грн
3+
386.58 грн
4+
296.88 грн
10+
280.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
71А
Струм колектора в імпульсі
225А
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
357Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
207нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,128 g