0 0 0
  8. STGWT60H65DFB

Транзистори IGBT THT STGWT60H65DFB

 
STGWT60H65DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 446746
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
413.13 грн
3+
371.66 грн
4+
281.53 грн
10+
266.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 213 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
60А(1441121)
Струм колектора в імпульсі
240А(1694418)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
306нКл(1823386)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,21 g
 
Транзистори IGBT THT STGWT60H65DFB
STMicroelectronics
Артикул: 446746
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
413.13 грн
3+
371.66 грн
4+
281.53 грн
10+
266.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 213 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
60А
Струм колектора в імпульсі
240А
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
375Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
306нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,21 g